"

ag平台娱乐场官方网站拥有全球最顶尖的原生APP,每天为您提供千场精彩体育赛事,ag平台娱乐场官方网站更有真人、彩票、电子老虎机、真人电子竞技游戏等多种娱乐方式选择,ag平台娱乐场官方网站让您尽享娱乐、赛事投注等,且无后顾之忧!

"

加入收藏    設為ag平台娱乐场官方网站
熱銷產品
> 熱銷產品 > 文章正文

FF200R12KS4英飛凌IGBT模塊

產品作用和性能:
英飛凌FF200R12KS4 是英飛凌公司專門針對高頻應用領域而開發發行的62mmC-Series模塊,在變頻器中的應用實現了系統的高效率和小型化ag平台娱乐场官方网站,其開關頻率在20~50kHz的應用場合能發揮最大優良特性 。而在典型情況下, IGBT模塊的優化,所針對的載波頻率卻是10kHz或更低ag平台娱乐场官方网站。通常,在IGBT/FWD芯片的通態壓降和開關損耗之間有一個折衷關系。高速模塊在進行性能折衷時,是讓通態電壓偏大,以換取偏低的開關功耗,從而能在高頻應用中實現最低的總功耗。其在醫療應用ag平台娱乐场官方网站、電機傳動ag平台娱乐场官方网站、諧振逆變器應用、伺服驅動器ag平台娱乐场官方网站、UPS系統作為高頻開關使用。
英飛凌IGBT模塊FF200R12KS4 
英飛凌IGBT模塊FF200R12KS4
上海菱端電子科技有限公司www.farangtalk.com常備FF200R12KS4大量現貨,價格從優,歡迎聯系采購及技術支持。
 


英飛凌FF200R12KS4機械特性 :
• 封裝的CTI>400 
• 高爬電距離和電氣間隙 
• 絕緣的基板 
• 銅基板
• 標封裝

英飛凌FF200R12KS4 基本參數:IGBT模塊,1200V/200A DUAL
 
英飛凌FF200R12KS4 外形封裝尺寸和結構圖
 
英飛凌FF200R12KS4 外形封裝尺寸和結構圖
 
英飛凌FF200R12KS4 產品參數:
 
產品種類: IGBT 模塊
產品: IGBT Silicon Modules
品牌和型號 英飛凌FF200R12KS4
配置: Dual
集電極—發射極最大電壓 VCEO: 1200 V
集電極—射極飽和電壓: 3.2 V
在25 C的連續集電極電流: 275 A
柵極—射極漏泄電流: 400 nA
功率耗散: 1.4 kW
最大工作溫度: + 125 C
封裝 / 箱體: 62 mm
商標: Infineon Technologies
柵極/發射極最大電壓: +/- 20 V
最小工作溫度: - 40 C
安裝風格: Screw
產品價格和中英文資料 聯系我們咨詢和索取
每盒數量: 10
 
英飛凌FF200R12KS4  等效電路
英飛凌FF200R12KS4  等效電路
 
英飛凌FF200R12KS4 IGBT模塊受損原因分析
 
 IGBT的安全可靠與否主要由以下因素決定:
  --IGBT柵極與發射極之間的電壓;
  --IGBT集電極與發射極之間的電壓;
  --流過IGBT集電極-發射極的電流;
  --IGBT的結溫。
  如果IGBT柵極與發射極之間的電壓,即驅動電壓過低,則IGBT不能穩定正常地工作,如果過高超過柵極-發射極之間的耐壓則IGBT可能永久性損壞;同樣,如果加在IGBT集電極與發射極允許的電壓超過集電極-發射極之間的耐壓,流過IGBT集電極-發射極的電流超過集電極-發射極允許的最大電流ag平台娱乐场官方网站,IGBT的結溫超過其結溫的允許值,IGBT都可能會永久性損壞。
    驗證碼: 點擊我更換圖片
       上海菱端電子科技有限公司:
       聯系人:夏小姐
       服務熱線:021-58979561
       業務咨詢qq:447495955
       業務咨詢qq:1852433657
       業務咨詢qq:513845646
       技術支持qq:313548578
       技術交流群:376450741
       業務咨詢:  點這里給我發消息
       業務咨詢:  點這里給我發消息
       業務咨詢:  點這里給我發消息
       技術支持:  點這里給我發消息
       媒體合作:  點這里給我發消息

    ag平台娱乐场官方网站