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三菱A系列IGBT模塊

性能特點

采用最新的CSTBTTM硅片技術:
• 低飽和壓降Vce(sat), 低開關損耗Esw(on), Esw(off)
• 高短路耐受能力
ΔT(j-f)性能優于歐洲的同類溝槽型IGBT模塊
采用歐式熱阻定義Rth(j-c)和Rth(c-f),通過采用氮化鋁AlN絕緣層實現優良的熱阻特性
成本優化的封裝,低阻抗封裝(A系列1單元除外)
飽和壓降低、短路承受能力強、驅動功率小
比同等級其他溝槽型IGBT電流輸出能力高10%,在相同輸出電流時ΔT(j-f)低15%
內置導熱性能優異的氮化鋁(AlN)絕緣基層,通過調整底板與氮化鋁絕緣層之間的焊接層厚度來改善溫度循環能力Δ Tc (焊接層疲勞)ag平台娱乐场官方网站,熱阻小
模塊內部寄生電感小,減小柵極電容:柵極驅動功率近似于平面型IGBTs
功率循環能力顯著改善,
采用新的導線焊接工藝大大提高功率循環能力ΔTj (導線連接疲勞)

應用領域

適合中、低端變頻器產品設計

封裝尺寸

94mm × 48mm 108mm × 62mm	110mm × 80mm 140mm × 130mm
94mm × 48mm 108mm × 62mm 110mm × 80mm 140mm × 130mm

三菱第五代A系列IGBT模塊產品型號見下表,歡迎聯系上海菱端電子有限公司產品咨詢及技術支持。

IGBT Modules (A series)

電路拓撲 VCES(V) Ic(A)
75 100 150 200 300 400 600
2單元 1200   CM100DY
-24A
 (45KB)
CM150DY
-24A
 (45KB)
CM200DY
-24A
 (45KB)
CM300DY
-24A
 (45KB)
CM400DY
-24A
 (48KB)
CM600DY
-24A
 (49KB)
1700 CM75DY
-34A
 
(110KB)
CM100DY
-34A
 
(101KB)
CM150DY
-34A
 
(121KB)
CM200DY
-34A
 
(102KB)
CM300DY
-34A
 
(100KB)
CM400DY
-34A
 
(126KB)
 
1單元 1200V             CM600HA
-24A
 
(117KB)
          CM400HA
-24A
 
(118KB)
CM600HB
-24A
 
三菱電機IGBT模塊的命名方法:
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       上海菱端電子科技有限公司:
       聯系人:夏小姐
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